碳化硅正成為冉冉升起的新星 第三代半導(dǎo)體概念股有哪些？

　　多名業(yè)內(nèi)人士透露，LG集團旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，重點押注碳化硅PMIC以及MCU。硅芯片公司此前更常以其驅(qū)動IC產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領(lǐng)域，不僅透露了其對從LG集團分拆后的發(fā)展規(guī)劃，更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星。此外，特斯拉、比亞迪、豐田、大眾等一線汽車廠商均開始大力布局碳化硅。

　　機構(gòu)稱，當(dāng)前功率器件仍以碳基為主，但碳化硅基器件低能量損耗、耐高壓、耐高溫等優(yōu)良特性更適合功率器件使用，漸有取代碳基器件之勢。碳化硅基MOSFET相較于硅基MOSFET擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，工作溫度可達 600 ℃;擊穿場強是硅的十倍多，因此阻斷電壓更高;導(dǎo)通損耗比硅器件小很多，而且隨溫度變化很小;熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是硅材料的2.5倍，飽和電子漂移率是硅的2倍，所以能在更高的頻率下工作。正是基于這些特性，碳化硅終端市場主要為新能源車以及光伏服務(wù)，尤其在新能源車的新能源車OBC、DC/DC、逆變器、充電樁，及光伏逆變器都需要大量使用功率器件。

　　上市公司中，揚杰科技積極推進IGBT新模塊產(chǎn)品的研發(fā)進程，成功開發(fā)50A/75A/100A-1200V半橋規(guī)格的IGBT，同時完成了高壓碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計，已經(jīng)推出多款6寸高壓MOSFET與8寸中低壓MOSFET產(chǎn)品。

　　三安光電子公司三安集成已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造，目前多家客戶處于樣品測試階段。

　　關(guān)聯(lián)個股

　　揚杰科技、三安光電